有志による某国立高専某学科某クラスのページ。夏休み中の連絡とかにも使ってください。課題に迷ったらココ!
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UNICORN P148 日本語訳
どうも、出席番号で国際標準規格の次の者です。
一部から希望があったので、英語講読の長文課題の文の日本語訳を載っけときます。
あんまり必要性は感じられませんけど。

1時間くらいでパッと訳したヤツなので信憑性はいまいちですが、
皆様のご参考になれば幸いです。




 様々な国々から来た人々が、同じ言語を話せるとき、彼らは他者の感情や意見をよりよく理解することができる。何故、全ての国が、英語のような第二公用語を設けるべきではないのか?
 この答えは単純ではない。多くの人々が言語の国際化に危機感を感じている。たとえば、国際的な言語を母国語のように話す人々は、他の人々に対してアドバンテージを持つだろう。さらに、一つの国際的な言語は、現地の言葉や文化にあまりにも大きな影響をもたらすだろう。1つの言語は単なるコミュニケーションの道具と言うだけではなく、我々の文化・歴史、さらに国際的な同一性の大いなる一つなのだ。もし他の言語が公用語とされれば、人々は不可欠な文化の一部を失うことになるだろう。
 第二公用語が持つ悪影響に、我々は打ち勝つことができると考えている人々もいる。彼らは一つの言語が持つ悪い点よりは、それが持つ利点の方が多いと言っている。




「ココおかしいぞ」など、ご指摘がございましたらどうぞコメント欄の方へ書き込んでやってください。
みんな揃って進級しましょう。
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by m0511xx | 2008-02-27 22:12 | 英訳
課題27(訂正版?)
お疲れ様です、出席番号18番SREです。
明日で最終日の学年末試験、皆さん勉強してますか?俺はしてませんw
今日もパチンコ打って稼いでました。すんませんw

とりあえず2つ下にある、出席番号9番の暇人が書いた課題27ですが、
出席番号20番のCIAの話ではかなり違うらしいので・・・w
俺が真面目に書いたやつを載せておきます。
それでも間違っている可能性が多少でもあると思うので、
一応試験前に皆さんコピーしたと思われる課題の模範解答見て確認してください。

(1)
微少時間dt、電荷の移動(ドリフト)距離dx、抵抗中の電荷q、抵抗線中の一様電界E、抵抗中の電荷に働く力F=qE、起電力の成す仕事dW=Fdx
仕事率P=(dW)/(dt)=F*(dx)/(dt)=Fv_{d}=qEv_{d}…(a)
電荷の移動(ドリフト)速度v_{d}、電子電荷(電気素量)e、抵抗中の電子数N、電子密度n_{e}、抵抗線の長さl、断面積S、抵抗中の電荷q=-eN=-en_{e}Sl…(b)
抵抗線に印加する起電力V=-int_{r_{0}}^{r}E*dr=-Eint_{r_{0}}^{r}dr=Elより、
E=V/l…(c)
ドリフト電荷dq=-en_{e}Sv_{d}dt、ドリフト電子群による電流の式I=(dq)/(dt)=(-en_{e}Sv_{d}dt)/(dt)=-en_{e}Sv_{d}より、
v_{d}=-I/(en_{e}S)…(d)
(a)~(d)より、∴P=qEv_{d}=(-en_{e}Sl)*(V/l)*(-I/(en_{e}S))=VI


(2)
(a)
導線上の電流素片Ids、dsから点Pへの位置ベクトルr、dsを直線導線上で移動(θ=0→π/2→π)、dsによる磁界への寄与dH、点Pでの磁界H(dHを積分)
r、a、θの関係より、r=a/sinθ、ds*(r/r)=ds*sinθ=rdθ
ビオ・サバールの法則より、
H=int_{-∞}^{+∞}dH=int_{0}^{π}(I/(4πr^{2}))sinθds=(I/(4π))int_{0}^{π}r*(1/r^{2})dθ=(I/(4π))int_{0}^{π}(1/r)dθ=(I/(4π))int_{0}^{π}(sinθ/a)dθ
=(I/(4πa))int_{0}^{π}sinθdθ=(I/(4πa))*[-cosθ]_{0}^{π}=-(I/(4πa))*(-1-1)=I/(2πa)
H=I/(2πa)=1.0/(2*3.14*10*10^{-2})=1.59≅1.6A*m^{-1}

(b)
導線を中心とし、半径aの円周を閉曲線Cとすると、右ねじの回転方向に一定の円形磁界Hが存在する。
その円周Cに沿ってアンペールの法則を適用し、
円周方向の磁界H_{s}=H、円周内に含まれる電流Iにより、
∮_{C}H_{s}ds=H∮_{C}ds=H*2πa=I
従って、H=I/(2πa)=1.0/(2*3.14*10*10^{-2})=1.59≅1.6A*m^{-1}


ちなみに課題28は、下にあります。出席番号24番・・・誰だっけ?たいすけかな?
とりあえず更新されていますので、そちらをご参照ください。

では、明日の皆さんの健闘を祈ります。以上です。
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by m0511xx | 2008-02-25 23:42
課題28
こんばんわー24番です。(初投稿!

課題27.28の提出がが明日に迫ってますね…
今はそれどころじゃないって人がほとんどやと思います笑

課題28を打ち込んだんで、良かったらご活用ください。。。

※正確に入力したつもりですが、間違ってるところはあるかも知れません、適宜修正してご使用ください。

「1」
・ソレノイドの自己インダクタンスの式より
L=μn^{2}lS=μ_{r}μ_{0}n^{2}lS
・コイルの磁気エネルギーの式より
U=(LI^{2})/2
・したがってソレノイドの式は
U=(LI^{2})/2=(μ_{r}μ_{0}n^{2}lSI^{2})/2
=(6400*1.257*10^{-6}*(48*10^{-2})^{2}*18*10^{-2}*(1.2*10^{-2})^{2}*1.6^{2})/2
=6.14[J]=6.1[J]

「2」
(a)
・コンデンサーの電荷:q
・電気容量の定義式:Q=CV
・コンデンサーの電圧:V_{c}=q/c
・コイルの自己誘導起電力の式:V=-L(dI/dt)より
・コイルの電圧:V_{c}=q/c
・電流の定義式:I=dq/dtより
V_{L}=-L(dI/dt)=-L(d/dt)(dI/dt)=-L(d^{2}q/dt^{2})
・従ってV_{L}=V_{c}より
-L(d^{2}q/dt^{2})=q/c
(d^{2}q/dt^{2})=-q/Lc=- ω^{2}q

(b)
・電気振動の固有角速度:ω=1/sqrt(LC)
・固有振動数:ν=ω/2πより
ν=ω/2π
=1/(2π*sqrt(LC))
=1/(2*3.14*sqrt(24*10^{-3}*6.8*10^{-6}))
=394[Hz]
=3.9*10^{2}[Hz]

「3」
(a)
・平面電磁波の電界:E=E_{0}sin(kz-ωt)
・平面電磁波の磁界:H=H_{0}sin(kz-ωt)
・平面電磁波の電界と磁界の大きさの比
H/E=sqrt(ε/μ),H=E*sqrt(ε/μ)より

H_{0}=E_{0}*sqrt(ε_{0}/μ_{0})
=(E_{0}*10^{7})/(4πc)
=(10^[7}*53*10^{-3})/(4*3.14*3.00*10^{8})
=1.41*10^{-4][A/m]

(b)
・波長の式:c=νλより
ν=c/λ
=(3.00*10^{8})/(82*10^{6})
=3.656[m]=3.7[m]

(c)
・電磁波の波長、波数の式より
λk=2π
k=2π/λ=(2πν)/c
=(2*3.14*82*10^{6])/(3.00*10^{8})
=1.7[rad/m]

・電磁波の角振動、振動数の式によって
ω=2πν
=2*3.14*82*10^{6}
=5.2*10^{8}[rad/s]


それでは明日のテスト最終日、ガンバって生きましょう!!!
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課題27
前々から言ってますが、なんかおかしいとこに気づいたらコメントせずに勝手に直してください。
こっちでは基本的に情報処理の時間に打ち込んでますが、いろいろと邪魔が入るのでいちいち確認していません。
とりあえず出来た分(1のみ)

微小時間:dt、電荷の移動(ドリフト)距離:dx、抵抗中の電荷:q、
抵抗中の一様電界:E
抵抗中の電荷に働く力:F=qE、起電力のなす仕事;dW=Fdx
仕事率;P=dW/dt=Fdx/dt=fV_{d}=qEV_{d}・・・(a)
電荷の移動(ドリフト)速度;v_{d}、電子電荷(電気素量):e、抵抗中の電子数:N
電子密度:n_{e}および抵抗線の長さ:l、断面積:S、
抵抗中の電荷:q=-eN=-en_{e}sl・・・(b)
抵抗線に印加する起電力:
V=-int_{r_{0}}^{r}E*dr=-E(int_{r_{0}}^{r}dr)=Elより、
E=V/l・・・(c)
ドリフト電荷:dq=-en_{e}Sv_{d}dt、
ドリフト電子群による電流の式:I=dq/dt=-en_{e}Sv_{d}dt/dt=-en_{e}Sv_{d}より、
v_{d]=-I/en_{e}S・・・(d)
(a)~(d)より P=qEv{d}=(-en_{e}Sl)(V/l)(-I/-en_{e}S)=VI

(a)
導線上の電流素片:Ids、dsから点Pへの位置ベクトル、
dsを直線導線上で移動(θ=0→π/2→π)、
dsによる磁界への寄与:dH、転Pでの磁界:H(dHを積分)
r,a,θの関係より、r=a/sinθ、ds*r/r=dssinθ=rdθ
ビオ・サバールの法則より、
H=int_{-∞}^{+∞}dH=int_{0}^{π}(I/4πr^{2})sinθds
=I/4π(int_{0}^{π}(1/r^{2})rdθ)
=I/4π(int_{0}^{π}(sinθ/a)dθ)=I/4πa(-cosθ)[0,π]=-I/4πa(-1-1)=I/2πa
H=I/2πa=1.0/(2*π*10*10^{-2})=1.6 [A/m]=1.6[N/Wb]

(単位は[N/Wb]なのか?)
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情報の課題28
なんか要望があったので情報処理の課題28を載せておきます。
プログラムにムダがありますが多分問題なく起動します。

#include<stdio.h>
int main(void)
{
int n[6][6]={{0},
{1,42,41,43,38,41},
{2,42,41,40,43,37},
{3,43,39,40,43,34},
{4,43,40,45,42,36},
{5,43,42,40,47,43}};
int gakka,a=0,gakunen,sum=0;
printf(" ");
for(gakunen=1;gakunen<=5;gakunen++)
{
printf(" %d年",gakunen);
}
gakunen=1;
printf(" 合計\n");
for(gakka=1;gakka<6;gakka++)
{
for(gakunen=0;gakunen<=5;gakunen++)
{
printf(" %d ",n[gakka][gakunen]);
sum=sum+n[gakka][gakunen];
}
a++;
printf("%d",sum-a);
sum=0;
printf("\n");
}
printf("合計 ");
for(gakunen=1;gakunen<=5;gakunen++)
{
for(gakka=1;gakka<=5;gakka++)
{
sum=sum+n[gakka][gakunen];
}
printf("%d ",sum);
sum=0;
}
printf("\n");

return 0;
}
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課題26
いまいち答えに自信がないため、コピペは注意

(a)
電子の質量:m_{e}、速度:vとして、電子の運動エネルギー:K=m_{e}v^{2}/2
(相対論効果は無視)電子の電荷:eとして、加圧電圧による位置エネルギー:U
U=-int_{0}^{r}Fdr=-int_{r_{0}}^{r}(-eE)dr=e*int_{r_{0}}^{r}Edr=eV
(m_{e}v^{2})/2=eVより
v=sqrt(2eV/m_{e})
=sqrt(2*1.602*10^{-19}*8.0*10^{3}/(9.109*10^{-31}))
=5.3*10^{7}[m/s]

(b)
電子密度:n_{e}、単位時間:dt、断面積:Sとして、通過した電子数:dN=n_{e}S(Vdt)、
自由電子の電荷の量:dQ=-edN=-e n_{e}S(Vdt)
ドリフト電子群の電流の式より、
電流:I=dQ/dt=-e n_{e}S(Vdt)/dt=-e n_{e}Sv
n_{e}=I/esv
=4I/eπd^{2}v=4*1.0*10^{-3}/(1.602*10^{-19}*π*(1.2*10^{-3})^{2}*5.3*10^{7})
=1.04*10^{14}[m^{-3}]

(c)
電子間平均距離:d_{e}、電子密度:n_{e}=(電子数)/(体積)より、
n_{e}=1/d_{e}^{3}
d_{e}=(1/n_{e})^{1/3}=2.13*10^{-5}[m]

2
抵抗線の長さ:l、断面積:S=πd^{2}/4、体積:V=sl
密度の定義式より、ρ_{m}=m/V=m/sl=4m/πd^{2}l
l=m/ρ_{m}S=4m/ρ_{m}πd^{2}
電気抵抗の式より、R=l/σS=ρl/S
R=ρl/S=(ρ/S)*(m/ρ_{m}S)=ρm/ρ_{m}S^{2}=16ρm/ρ_{m}π^{2}d^{4}
R=16ρm/ρ_{m}π^{2}d^{4}
=16*44*10^{-8}*20*10^{-3}/(8.3*10^{3}*π^{2}*(0.40*10^{-3})^{4})
=67.14[Ω]
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